特許
J-GLOBAL ID：200903034816502265
プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-197525
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045910
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ処理例えばエッチングにおける種々の条件のいずれに対しても処理の均一性を高めることができるようにする。【構成】 複数のガス噴出孔5が表面に設けられた上部電極2と被エッチング基板9が載置される下部電極6とをチャンバー1内に設け、ガス供給室4から上部電極2のガス噴出孔5を介してチャンバー1内にガスを供給するエッチング装置において、上部電極2のガス噴出孔5に対応する複数の開孔部8を有する調整板7を、上部電極2に接してガス供給室4の内側に配置する。調整板7をずらして開孔部8とガス噴出孔5との重なりを調整することにより、中央部と周辺部との間においてガス噴出孔5の開孔面積を可変させ、エッチングガス密度を調整してエッチング速度の面内均一性を高める。
請求項（抜粋）：
複数のガス噴出孔が表面に分散して設けられた第1の電極と被処理体が載置される第2の電極とが対向するように真空室内に設けられ、且つガス供給室から前記第1の電極のガス噴出孔を介して前記真空室内にガスを供給するガス供給手段を備えたプラズマ処理装置において、前記第1の電極と重なり合って設けられ、前記ガス噴出孔の少なくとも一部を塞ぐ調整板と、前記ガス噴出孔と前記調整板との重なりを調整することにより、前記ガス噴出孔の開孔面積を可変する開孔面積可変手段と、を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/205
H01L 21/302 C
, H01L 21/302 B
