特許
J-GLOBAL ID：200903034819500980

半導体チップの製造方法

発明者：
有田 潔

有田 潔 について

, 
土師 宏

土師 宏 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-274938
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098228
出願日： 2006年10月06日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：
【課題】プラズマダイシングとダイアタッチフィルムによるボンディングを両立させることができ、併せてプラズマ処理用の真空チャンバ内の汚損も抑えることができる半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハ1にダイアタッチフィルム4及びUVテープ5から成るフィルム層6をマスクとして設けた後、そのフィルム層6に、回路パターン形成面1aに形成された半導体素子2同士を区分する境界溝7を形成して半導体ウエハ1の表面を露出させる。そして、境界溝7に露出した半導体ウエハ1の表面をフッ素系ガスのプラズマによりエッチングし、半導体ウエハ1を境界溝7に沿って個々の半導体チップ1′に切り分ける。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの回路パターン形成面とは反対側のマスク形成面に、マスク形成面に貼り付けられるダイアタッチフィルム及びこのダイアタッチフィルムの外面に貼り付けられる耐熱性フィルムから成るフィルム層をマスクとして設けるマスキング工程と、半導体ウエハに設けられた前記フィルム層に、半導体ウエハの回路パターン形成面に形成された半導体素子同士を区分する境界溝を形成してその境界溝に半導体ウエハの表面を露出させる境界溝形成工程と、前記境界溝に露出した半導体ウエハの表面をフッ素系ガスのプラズマによりエッチングし、半導体ウエハを前記境界溝に沿って個々の半導体チップに切り分けるプラズマエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/306
FI (4件)：
H01L21/78 S ,  H01L21/78 R ,  H01L21/52 G ,  H01L21/302 101B
Fターム (9件)：
5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004EB08 ,  5F004FA06 ,  5F047BA24 ,  5F047BB03 ,  5F047BB19
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM