特許
J-GLOBAL ID:200903034823644580

レーザーによる回路パターン形成方法及び回路基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 古谷 馨 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-331257
公開番号(公開出願番号):特開平7-193356
出願日: 1993年12月27日
公開日(公表日): 1995年07月28日
要約:
【要約】【目的】 電気・電子機器等の分野で回路部品として使用される、表面に正確な導電回路を有する成形品を、効率よく製造する方法を提供する。【構成】 合成樹脂成形品表面に形成された金属薄膜にレーザー光を照射し金属薄膜を除去して回路パターン形成を行い電気メッキにより回路を形成する方法において、金属薄膜の厚さが 0.2〜2.0 μmであり、レーザースポット径が50〜500 μmであるレーザー光を照射して金属薄膜を 100〜500 μmの幅で除去する。
請求項(抜粋):
合成樹脂成形品表面に形成された金属薄膜にレーザー光を照射し金属薄膜を除去して回路パターン形成を行い電気メッキにより回路を形成する方法において、金属薄膜の厚さが 0.2〜2.0 μmであり、レーザースポット径が50〜500 μmであるレーザー光を照射して金属薄膜を 100〜500 μmの幅で除去することを特徴とする回路パターン形成方法。
IPC (3件):
H05K 3/08 ,  B23K 26/00 ,  H05K 3/24

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