特許

J-GLOBAL ID：200903034825318302

半導体パッケージ及びこれを用いた半導体装置

発明者： 堀内 道夫 ,  松木 隆一
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-110840
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298252
出願日： 1996年05月01日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置を実装した際に実装基板と半導体パッケージとの熱膨張係数の差によって生じる熱応力により外部接続端子の接合部が破損等することを防止し、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 セラミック回路基板10の実装面に形成された外部接続用の端子パッド14に外部接続端子12を接合して成る半導体パッケージにおいて、前記端子パッド14が形成された部位に、前記端子パッド14が内底面で露出され、該端子パッド14側の開口径が前記外部接続端子12を接合する側の開口径よりも拡径となる段差部が内壁面に形成されるとともに該内壁面に金属層36が形成された凹部32内に低融点金属34が充填されて成る外部接続端子接合部30が形成されたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

セラミック回路基板の実装面に形成された外部接続用の端子パッドに外部接続端子を接合して成る半導体パッケージにおいて、前記端子パッドが形成された部位に、前記端子パッドが内底面で露出され、該端子パッド側の開口径が前記外部接続端子を接合する側の開口径よりも拡径となる段差部が内壁面に形成されるとともに該内壁面に金属層が形成された凹部内に低融点金属が充填されて成る外部接続端子接合部が形成されたことを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (5件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311 ,  H05K 3/34 501 ,  H05K 3/34 508

FI (5件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/60 311 S ,  H05K 3/34 501 E ,  H05K 3/34 508 A