特許
J-GLOBAL ID：200903034829621662
半導体製造工程からの排ガスの除害装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北谷 寿一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-168416
公開番号（公開出願番号）：特開平9-021516
出願日： 1995年07月04日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：
【要約】【課題】 除害効率の高い除害装置を提供する。【解決手段】 外筒(1)内に内筒(2)を挿嵌した二重筒で除害装置のハウジングを形成する。外筒(1)の一端寄り部分にガス燃料バーナ(9)を配置して外筒(1)内にバーナ火炎による燃焼域(10)を形成する。外筒(1)のバーナ配設側端部に半導体製造装置からの排ガスを導入する導入口(5)と補助ガス導入口(6)とを形成するとともに、外筒(1)の他端部を大気に開放する。内筒(2)の突入端部とは反対側の端部を吸引装置に連通させる。内筒(2)の外周面と外筒(1)の内周面との間に所定間隔の通気路(8)を形成し、この通気路(8)で大気を外筒(1)内に取り込む。
請求項（抜粋）：
一端に半導体製造装置から排出される排ガスを導入する排ガス導入口(5)と補助ガス導入口(6)を形成するとともに他端部を大気に開放させた外筒(1)に、一端を吸引装置に連通させかつ他端部を開放させた内筒(2)を、その開放端側部分を外筒(1)の開口端部から外筒内部に突入させ、内筒(2)の外周面と外筒(1)の内周面との間に所定間隔の通気路(8)を形成し、外筒(1)での排ガス導入口(5)及び補助ガス導入口(6)の形成側部分にガス燃料バーナ(9)を配置して外筒(1)の排ガス導入口形成端寄り部分での内部にバーナ火炎による燃焼域(10)を形成したことを特徴とする半導体製造工程からの排ガスの除害装置。
IPC (2件)：
F23G 7/06 ZAB
, F23G 7/06
F23G 7/06 ZAB D
, F23G 7/06 ZAB B
, F23G 7/06 ZAB M
, F23G 7/06 ZAB N
