半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-161692
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008303
出願日： 1997年06月18日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板へコンタクトを形成する場合に、酸化シリコン膜をドライエッチングする際生じたシリコン基板表面のダメージを除去する半導体装置の製造方法に関する。コンタクト形成の際のドライエッチングによるシリコン基板表面のダメージ層を除去しコンタクト抵抗を安定させる。【解決手段】アンモニア過酸化水素水系の薬品でシリコン基板表面のシリコンをわずかにエッチングする。シリコン基板1へコンタクトを形成する場合に、酸化シリコン膜2をドライエッチングする際生じたシリコン基板表面のダメージ層3を除去する場合に、アンモニア過酸化水素水系の薬品でシリコン基板表面のシリコンをわずかにエッチングしたのでシリコン基板表面のダメージを完全に除去できるためコンタクト抵抗が安定する。

請求項（抜粋）：

シリコン酸化膜中にシリコン基板へのコンタクトを形成するために酸化シリコン膜をドライエッチングする工程、前記ドライエッチング後、前記シリコン酸化膜と前記シリコン基板とのエッチング選択性が高い材料で前記コンタクト内で露出している前記シリコン基板をエッチングする工程、を有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/306 , H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/90 C , H01L 21/306 S , H01L 21/88 C

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