特許
J-GLOBAL ID：200903034830289930
熱電変換素子とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池条 重信 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-028211
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217469
出願日： 2000年02月04日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】 安価で軽量な熱電変換材料であるSi基材料の熱電変換効率を著しく高めた構成であるとともに、製造が容易な構成からなるSi基の熱電変換材料を用いた熱電変換素子とその製造方法の提供。【解決手段】 n型とp型の材料粉末を交互に配置し、Si系やセラミックスの粉末など絶縁材を、pn接合予定部以外に介在させることにより、p/n/p/n/p/と圧縮成形して一体化焼結すると、一体化が極めて容易になると共に、電極接合によるロスはほとんど無視できるほど小さくなり、かつ熱電変換素子に温度勾配を与えた際の高温側と低温側に位置するpn接合部に異種金属を介して接合し、素子化することにより、起電力および電力量が向上する。
請求項（抜粋）：
n型半導体材料とp型半導体材料間に、絶縁材料を介在して一体化され、連接方向に単数又は複数のpn接合部を有する熱電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 35/32 A
, H01L 35/34
