特許

J-GLOBAL ID：200903034830912999

半導体レーザ素子

発明者： 小磯 武 ,  藤本 毅
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
代理人 (3件)： 西教 圭一郎 ,  杉山 毅至 ,  廣瀬 峰太郎
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001007724
公開番号（公開出願番号）：WO2002-021578
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2002年03月14日
要約：

半導体レーザ素子は、レーザ光の出射する前端面とこれに対向する後端面とを結ぶ方向に延びるストライプ状の電流注入領域を画定する第一の電流ブロック層と、前記前端面近傍で前記ストライプ状電流注入領域を横切るように形成された第二の電流ブロック層とを備え、第一電流ブロック層と第二電流ブロック層は同一の層で構成されている。これによって、製造が容易で、半導体レーザ素子にダメージを与えずかつ特性劣化を最小限に抑えた構造で端面近傍に電流ブロック構造を設けることによって、高い端面光学損傷破壊レベル、長期連続動作での高い信頼性を達成できる。

請求項（抜粋）：

活性層を挟むようにn型とp型導波層が形成され、かつこれらの導波層の外側を挟むようにn型とp型クラッド層が形成され、またレーザ光の出射する前端面とこれに対向する後端面とを結ぶ方向に延びるストライプ状の電流注入領域を画定する第一の電流ブロック層を備えた半導体レーザ素子であって、 前記前端面近傍で前記ストライプ状電流注入領域を横切るように形成された第二の電流ブロック層を備え、第一電流ブロック層と第二電流ブロック層は同一の層で構成され、該電流注入領域と第一および第二電流ブロック層が存在する領域との間に等価屈折率差を設けることによって実屈折率導波構造を形成したことを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (3件)：

H01S5/16 ,  H01S5/223 ,  H01S5/343

FI (3件)：

H01S5/16 ,  H01S5/223 ,  H01S5/343