プラズマ処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066704
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261631
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】大口径の被処理基板上に膜厚・膜質の均一な絶縁膜を形成することができるプラズマCVD装置を実現すること。【解決手段】ヘリコン波を用いてプラズマを生成するプラズマCVD装置において、ヘリコン波励起用アンテナ14として、その上部に流れる電流により形成されるループよりも、その下部に流れる電流により形成されるループのほうが大きくなる構造のものを用いる。

請求項（抜粋）：

被処理基体をプラズマにより処理するところのプラズマ処理容器と、プラズマ源ガスをヘリコン波およびホイスラー波の少なくとも一方の電磁波によりプラズマ化し、前記プラズマを生成するプラズマ生成手段とを具備してなり、前記プラズマ生成手段は、前記電磁波を励起するためのアンテナと、このアンテナに高周波電力を印加する高周波電力印加手段と、前記プラズマが生成される領域に静磁場を印加する磁界印加手段とから構成され、前記アンテナは、電流がループ状に流れる第1の領域と、電流がループ状に流れ、ループの広がりが前記第1の領域のそれより大きい第2の領域とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H05H 1/46 L , H01L 21/302 B

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