特許

J-GLOBAL ID：200903034832740435

半導体装置、半導体装置実装基板及びそれらの実装方法

発明者： 小林 寛史 ,  坂津 務 ,  桑崎 聡 ,  大倉 秀章
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-288028
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100648
出願日： 2000年09月22日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の端子電極数を減少することなく、簡易な方法で接合強度を向上する半導体装置、半導体装置実装基板及びそれらの実装方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、少なくとも1つの端子電極を円に突起がついた形状にしているので、はんだリフロー工程で半導体装置の端子電極の突起にはんだが引き寄せられバンプ中央部のはんだ量が減り、この結果、はんだバンプ形状は鼓型となるように引き寄せられて接合するので、半導体装置の電極とはんだバンプの接合強度を高くすることができる。また、同様に、半導体装置実装基板の電極も形成されるので、半導体装置と半導体装置実装基板間の接合強度を向上することができる。

請求項（抜粋）：

外部との電気的接続用の球状端子がマトリックス状に配置された半導体装置において、少なくとも1つの端子電極が円に少なくとも1つの突起を設けた形状であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/18 ,  H05K 3/34 501

FI (7件)：

H01L 21/60 311 S ,  H05K 1/18 L ,  H05K 3/34 501 E ,  H01L 21/92 604 H ,  H01L 21/92 602 G ,  H01L 21/92 602 Q ,  H01L 23/12 F

Fターム (17件)：

5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC01 ,  5E319AC16 ,  5E319BB04 ,  5E319CC33 ,  5E319GG11 ,  5E319GG20 ,  5E336AA04 ,  5E336BB01 ,  5E336CC32 ,  5E336EE03 ,  5E336GG05 ,  5F044KK17 ,  5F044LL01 ,  5F044LL04 ,  5F044QQ02