特許
J-GLOBAL ID：200903034833582957
錫をドープした酸化インジウム透明導電膜を形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-182715
公開番号（公開出願番号）：特開平6-028932
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】カラーフイルターに、低抵抗率のITO透明導電膜を形成する方法を提供する。【構成】酸化錫と酸化インジウムを混合し焼結したターゲットをスパッタリングして、第1層として、3〜30nmの厚みの結晶核生成層を被覆し、その結晶核を減圧した雰囲気中で130°C以上でアニールすることにより成長させ、しかるのち第2層として結晶核生成層上に低抵抗化層を被覆する。
請求項（抜粋）：
酸化錫と酸化インジウムを混合した焼結体からなるターゲットを減圧した雰囲気中でスパッタリングして有機樹脂表面上に錫をドープした酸化インジウム透明導電膜を形成する方法において、(a)前記有機樹脂表面上に第1層として、3〜30nmの厚みの結晶核生成層を被覆し、(b)その後、前記結晶核生成層を減圧した雰囲気中で、かつ、100°C以上の前記有機樹脂が熱的に劣化しない温度でアニールすることにより前記結晶核を成長させ、(c)しかるのち、前記結晶核生成層上に第2層として低抵抗化層を被覆する、上記(a)〜(c)の工程を有することを特徴とする錫をドープした酸化インジウム透明導電膜を形成する方法。
IPC (3件)：
H01B 13/00 503
, C23C 14/08
, H01B 5/14
