特許

J-GLOBAL ID：200903034833785190

金属をメッキ浴から基体の上にメッキするための方法

発明者： リチヤード・ジヨゼフ・ケンプフ ,  グレゴリー・チヤールズ・ウイード ,  ドミニク・ミン-タク・チヤン
出願人/特許権者： イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
代理人 (1件)： 高木 千嘉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-099499
公開番号（公開出願番号）：特開平7-168357
出願日： 1994年05月13日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【構成】 印刷回路基板製造において金属、殊に銅をメッキ浴から基体の上にメッキするための方法に関し、モノマー、ポリマーバインダー、及び2つの特定の成分から成る光開始剤システムから成る。【効果】 基体の上のフォトレジストコーティングを使用して、浴の汚染の減少が達成されそしてより数少ない欠陥しか持たないメッキ金属のより高い品質が達成される。

請求項（抜粋）：

伝導性であるか又は無電解メッキのために接触されている表面部分及び非伝導性である表面部分を含む基体の上に電気メッキ又は無電解メッキによって金属を堆積する方法であって、非伝導性表面部分は光重合されたフォトレジストから成り、このフォトレジストは:(a) 少なくとも一種のエチレン性不飽和基を含むモノマー成分、(b) ポリマーバインダー、及び(c) 光開始剤システムから成る前駆体フォトレジストから形成されていて、ここで、前記光開始剤システムが:(i) ベンゾフェノン、ビス-4,4′-(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、ビス-4,4′-(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、2-イソプロピルチオキサントン、2-クロロチオキサントン、1-クロロ-4-プロポキシチオキサントン、10-ブチル-2-クロロ-9(10H)-アクリドン、2-クロロ-N-メチルアクリドン、2-クロロ-N-エチルアクリドン、2-クロロ-N-イソプロピルアクリドン、2,4-ジエチルチオキサントン、9-フェニルアクリジン、4-メチル-4-トリクロロメチル-2,5-シクロヘキサジエン-1-オン、及び置換されたヘキサアリールビイミダゾールである第一成分;並びに(ii) p-ジアルキルアミノ安息香酸のC6〜C12アルキル若しくはアリールエステル又はp-ジアルキルアミノ安息香酸のC7〜C20アラルキル若しくはシクロアルキルエステルである(ここで前記p-ジアルキルアミノ安息香酸のアルキル基は独立にC1〜C4アルキルである)第二成分の少なくとも二種の成分を含むことから成る改良を有する方法。

IPC (5件)：

G03F 7/028 ,  C23C 18/31 ,  C25D 5/02 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/18