特許

J-GLOBAL ID：200903034838852790

ビルドアップ多層基板及びその製造方法

発明者： 西田 典弘
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
代理人 (1件)： 中前 富士男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-046273
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237541
出願日： 2000年02月23日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 上部配線層と下部配線層との間の電気的、機械的接合性の高信頼性が達成されたビルドアップ多層基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下部配線層11と、上部配線層12と、下部配線層11と上部配線層12との間に設けられ、粗化層13、保護層14、及び絶縁層15を備えた中間層16と、中間層16を貫通し下部配線層11と上部配線層12とをつなぐビア17と、ビア17内に設けられたビア導体部18とを有するビルドアップ多層基板10であって、ビア導体部18の一端が下部配線層11と直接接続され、ビア導体部18の他端が上部配線層12に直接接続されることにより下部配線層11と上部配線層12との接続が形成されている。

請求項（抜粋）：

下部配線層と、上部配線層と、該下部配線層と該上部配線層との間に設けられ、粗化層、保護層、及び絶縁層を備えた中間層と、該中間層を貫通し前記下部配線層及び前記上部配線層をつなぐビアと、該ビア内に設けられたビア導体部とを有するビルドアップ多層基板であって、前記ビア導体部の一端が前記下部配線層と直接接続され、前記ビア導体部の他端が前記上部配線層に直接接続されることにより前記下部配線層と前記上部配線層との接続が形成されていることを特徴とするビルドアップ多層基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H05K 3/42 630

FI (3件)：

H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/42 630 A

Fターム (32件)：

5E317AA21 ,  5E317AA24 ,  5E317BB02 ,  5E317BB12 ,  5E317BB15 ,  5E317CC25 ,  5E317CC32 ,  5E317CD05 ,  5E317CD25 ,  5E317CD32 ,  5E317GG03 ,  5E346AA12 ,  5E346AA43 ,  5E346CC05 ,  5E346CC08 ,  5E346CC32 ,  5E346CC33 ,  5E346CC37 ,  5E346DD23 ,  5E346DD44 ,  5E346DD45 ,  5E346EE06 ,  5E346EE19 ,  5E346EE38 ,  5E346FF08 ,  5E346FF13 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG18 ,  5E346GG27 ,  5E346GG28 ,  5E346HH31