特許

J-GLOBAL ID：200903034842577990

シリコン窒化膜の成膜方法および半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 佐藤 豪一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-266266
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075992
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 層間絶縁膜として用いて低誘電率でありまた銅(Cu)系配線と組合せるに好ましい、微細・超高集積デバイスに好適なシリコン窒化膜を、汎用される原料ガスから容易に成膜できる技術の確立が課題である。【解決手段】 原料ガスとしてモノシランとアンモニアを用い、触媒CVD法を用い、シリコン1に対して窒素を1.0〜1.1、酸素を0.1〜0.15含有し、この膜の比誘電率が6以下であるシリコン窒化膜。

請求項（抜粋）：

原料ガスとしてモノシランとアンモニアを用い、触媒CVD法を用い、シリコン1に対して窒素を1.0〜1.1、酸素を0.1〜0.15含有し、この膜の比誘電率が6以下であるシリコン窒化膜。

IPC (6件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (7件)：

H01L 21/318 B ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 K

Fターム (73件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030FA17 ,  4K030JA20 ,  4K030KA49 ,  4K030LA02 ,  5F033HH05 ,  5F033HH11 ,  5F033HH25 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN01 ,  5F033PP06 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR00 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV00 ,  5F033VV15 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AB35 ,  5F045AB36 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AD05 ,  5F045BB07 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045CB05 ,  5F045DC51 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EF05 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD10 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-011560   出願人：富士通株式会社
• 成膜方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-021388   出願人：ソニー株式会社
• 電子装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-361143   出願人：ソニー株式会社