特許
J-GLOBAL ID：200903034846962422
磁気抵抗効果素子の評価装置及び評価方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-148133
公開番号（公開出願番号）：特開平11-339231
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 実際の使用環境下の条件を忠実に再現することにより、磁気抵抗効果素子を正確に評価する。【解決手段】磁気抵抗効果素子に対して所定の磁界を印加するとともに当該磁気抵抗効果素子に対して所定の電流を供給し、当該磁気抵抗効果素子の特性を評価する磁気抵抗効果素子の評価装置であって、上記磁気抵抗効果素子を加熱する加熱手段を備えるものである。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果素子に対して所定の磁界を印加するとともに当該磁気抵抗効果素子に対して所定の電流を供給し、当該磁気抵抗効果素子の特性を評価する磁気抵抗効果素子の評価装置において、上記磁気抵抗効果素子を加熱する加熱手段を備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子の評価装置。
IPC (3件)：
G11B 5/455
, G11B 5/39
, H01L 43/08
G11B 5/455 C
, G11B 5/39
, H01L 43/08 Z
