特許

J-GLOBAL ID：200903034849265960

集積回路用金属スタックのチタンとアルミニウム合金の間の界面の改良

発明者： ラストギ,ラジヴ ,  アンダーウッド,サンドラ・ジェイ ,  フジモト,ハリー・エイチ
出願人/特許権者： インテル・コーポレーション
代理人 (1件)： 黒川 弘朗
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-513765
公開番号（公開出願番号）：特表平11-512881
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：

【要約】集積回路の相互接続構造に使用する金属スタックの改良。この改良は、アルミニウム-銅合金層などのバルク導体層にチタン層が接触する界面のチタン層の内部に窒素を捕捉させることを含む。捕捉された窒素は、チタン・アルミニドの形成を実質的に阻止し、これによって、電流密度が減少し、スタックのエレクトロマイグレーション特性も改善される。最初の約30Åまでのチタン層に窒素を捕捉させることが現時点では好ましい。

請求項（抜粋）：

チタン層およびこれと接触したバルク導体層を含み、集積回路の相互接続構造として使用する金属スタックの形成する方法において、 窒素を含む非常に薄い領域がバルク導体層とチタン層の間に形成されるように、チタン層の形成の初期に窒素を導入する段階と、 窒素が存在しない条件で残りのチタン層を形成する段階とを含むことを特徴とする金属スタック形成の方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/285 S