特許

J-GLOBAL ID：200903034849650081

電子ビーム測長方法

発明者： 秦 一成 ,  渋田見 正俊 ,  北村 俊昭 ,  清水 弘泰
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 木内 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-244664
公開番号（公開出願番号）：特開平8-082515
出願日： 1994年09月13日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 ホールパターンの長さ測定を精度良く且つ再現性良く行えるようにする。【構成】 画像処理装置はコンタクトホールの画像信号からそのエッジ位置を最小2乗法などの手法を用いて多項式に近似する。その結果、左右のエッジ位置(×印)が(1)式及び(2)式で表される。Y=AL X2 +BL X+C・・(1)式、Y=AR X2 +BR X+CR ・・(2)式。このとき左右エッジ位置間の距離Lは、(1)式と(2)式との差分として、次の(3)式で表される。L=(AL -AR )X2 +(BL -BR )X+CL -CR ・・(3)式。画像処理装置7は(3)式から距離Lを求め、その最大値LMをコンタクトホールの長さとして決定するので、たとえアライメントに多少の誤差があったとしてもその程度の誤差は測定精度に影響を及ぼさず、測定精度の劣化も全く生じず、精度良くコンタクトホールの長さを測定することができる。

請求項（抜粋）：

基板上のパターンに電子ビームを照射し、前記基板からの2次電子を検出して前記パターンの画像を得、該画像に基づいて前記パターンの長さを測定する方法において、前記パターンを横切る複数の走査線の各々で前記画像を走査して複数のラインプロファイルを生成するとともに、該ラインプロファイル毎に前記パターンの第1エッジと第2エッジの各位置を検出し、該第1エッジと第2エッジの各々について該複数の位置を多項式で近似し、該近似した2つの多項式を用いて前記パターンの長さを求めることを特徴とする電子ビーム測長方法。

IPC (2件)：

G01B 15/00 ,  H01J 37/22 502