特許

J-GLOBAL ID：200903034853597918

半導体級多結晶シリコンの製造方法

発明者： 落合 三二
出願人/特許権者： 住友チタニウム株式会社
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-325273
公開番号（公開出願番号）：特開2003-128492
出願日： 2001年10月23日
公開日（公表日）： 2003年05月08日
要約：

【要約】【課題】 水平断面形状の悪化、ポップコーンの発生、外径ばらつきを含む形状悪化の問題を、炉上部排気や複合ノズルの使用によらず、従来どおりの炉底部給排気により、設備費をかけることなく経済的に解決する。【解決手段】 クロロシラン類を原料として気相成長法により半導体級多結晶シリコンを製造する際に、ロッド表面積が反応終了時の20%以上の反応時間帯において、ロッド表面温度を950〜1050°Cの範囲内に維持し、且つ、単位表面積当たりの原料ガス供給量を3.5×10-4〜9.0×10-4mol/cm2minの範囲内に管理する。

請求項（抜粋）：

クロロシラン類を原料として気相成長法により半導体級多結晶シリコンを製造する際に、ロッド表面積が反応終了時の20%以上の反応時間帯において、ロッド表面温度を950〜1050°Cの範囲内に維持し、且つ、ロッド単位表面積当たりの原料ガス供給量を3.5×10-4〜9.0×10-4mol/cm2minの範囲内に管理することを特徴とする半導体級多結晶シリコンの製造方法。

Fターム (5件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EC03 ,  4G077PA16