特許

J-GLOBAL ID：200903034857777279

キャリア濃度測定方法及びIII-V族化合物半導体ウェーハの製造方法

発明者： 中村 秋夫
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-367361
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168711
出願日： 2001年11月30日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 III-V族化合物半導体のキャリア濃度を、非接触、非破壊で測定できる方法を提供する。【解決手段】 n型バッファ層形成済みのIII-V族化合物半導体ウェーハで、C-V測定によりキャリア濃度を測定する一方、フォトルミネッセンス測定も行う。得られたフォトルミネッセンススペクトルでの淡紅色のスペクトルと黄緑色のスペクトルとの発光強度比を求める。そして、C-V測定により得られたキャリア濃度と該発光強度比との間で検量線を予め作製する(i)。次いで評価対象となるn型バッファ層に対し、フォトルミネッセンス測定を行い、得られたフォトルミネッセンススペクトルから淡紅色のスペクトルと黄緑色のスペクトルとの発光強度比を求め、該発光強度比に対応するキャリア濃度を検量線から読み取る(ii)。以上の工程によりn型バッファ層のキャリア濃度を評価したのち、該n型バッファ層をメルトバックして新たなエピタキシャル層を成長させる。

請求項（抜粋）：

ドーパントを含有するIII-V族化合物半導体から発光するフォトルミネッセンススペクトルにおいて、淡紅色のスペクトルと黄緑色のスペクトルとの発光強度比に基づき、前記III-V族化合物半導体のキャリア濃度を測定することを特徴とするキャリア濃度測定方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/63 ,  H01L 21/208 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/66 N ,  G01N 21/63 Z ,  H01L 21/208 S ,  H01L 33/00 B

Fターム (39件)：

2G043AA01 ,  2G043BA07 ,  2G043CA05 ,  2G043EA01 ,  2G043FA06 ,  2G043GA25 ,  2G043GB21 ,  2G043GB28 ,  2G043HA01 ,  2G043HA02 ,  2G043HA12 ,  2G043JA01 ,  2G043JA03 ,  2G043KA02 ,  2G043KA05 ,  2G043KA09 ,  2G043NA01 ,  2G043NA11 ,  4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA12 ,  4M106CA70 ,  4M106CB01 ,  5F041AA04 ,  5F041CA37 ,  5F041CA53 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F053AA01 ,  5F053DD07 ,  5F053FF02 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053KK04 ,  5F053KK10 ,  5F053LL02 ,  5F053RR03