熱電モジュール、熱電モジュールの製造方法、熱電装置、ファイバ投光装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大川宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-170041
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368293
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】熱電チップの接合強度を確保するのに有利な熱電モジュール、熱電モジュールの製造方法、熱電装置、ファイバ投光装置を提供する。【解決手段】熱電モジュール2は、第1電極21を有する第1基板22と、第2電極を有する第2基板と、Ni系メッキ層30が表面に被覆された熱電材料からなる複数個の熱電チップ25とを有する。熱電チップ25のNi系メッキ層30Aを第1基板22の第1電極21及び第2基板の第2電極に、鉛フリー化を進めたチップ接合用の半田層27で接合する。これにより各熱電チップ25を第1電極21と第2電極との間に位置させると共に第1電極21及び第2電極に電気的に接合させている。チップ接合用の半田層27は、重量比でSbを6〜15%含むSn基のSn-Sb系合金で形成されている。半田層27とNi系メッキ層30Aとの間にNi-Sn-Sb系の合金強化層28が形成されている。

請求項（抜粋）：

第1電極を有する第1基板と、前記第1基板の第1電極に対向する第2電極を有する第2基板と、Ni系メッキ層が表面に被覆された熱電材料からなる複数個の熱電チップとを有し、前記熱電チップのNi系メッキ層を前記第1基板の第1電極及び前記第2基板の第2電極に、鉛フリー化を進めたチップ接合用の半田層で接合することにより、各前記熱電チップを前記第1基板の第1電極と前記第2基板の第2電極との間に位置させると共に前記第1電極及び前記第2電極に電気的に接合させた熱電モジュールであって、前記チップ接合用の半田層は、重量比でSbを6〜15%含むSn基のSn-Sb系合金で形成されており、前記半田層と前記Ni系メッキ層との間にNi-Sn-Sb系の合金強化層が形成されていることを特徴とする熱電モジュール。

IPC (9件)：

H01L 35/32 , C22C 12/00 , C22C 13/02 , C22C 28/00 , C22C 30/00 , H01L 35/08 , H01L 35/16 , H01L 35/34 , H01S 5/022

FI (9件)：

H01L 35/32 A , C22C 12/00 , C22C 13/02 , C22C 28/00 Z , C22C 30/00 , H01L 35/08 , H01L 35/16 , H01L 35/34 , H01S 5/022

Fターム (8件)：

5F073AB27 , 5F073AB28 , 5F073BA02 , 5F073BA09 , 5F073FA06 , 5F073FA11 , 5F073FA23 , 5F073FA25

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