特許

J-GLOBAL ID：200903034870847596

プラズマ処理装置

発明者： 深沢 孝之
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-128231
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318565
出願日： 1993年05月01日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】 より低磁場下でエレクトロンサイクロトロン共鳴を誘起してプロセスガスをプラズマ化することにより磁場の影響を緩和して高精度のプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置を提供する。【構成】 本プラズマ処理装置は、半導体ウエハWを収納する収納室11及びその上面に連設されたプラズマ発生室12とからなる処理容器10と、この処理容器10のプラズマ発生室12に巻回された二重螺旋構造からなるアンテナ20と、このアンテナ20の外側に配設され且つプラズマ発生室12に磁場を印加する電磁コイル30とを備え、上記アンテナ20によりプラズマ発生室12内に数10MHzの電磁波を導入すると共に電磁コイル30により30ガウス以下の低磁場を印加してプラズマ発生室12内でエレクトロンサイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

被処理体を収納する収納部及びその上面に連設されたプラズマ発生部とからなる処理容器と、この処理容器のプラズマ発生部に巻回された二重螺旋構造からなるアンテナと、このアンテナの外側に配設され且つ上記プラズマ発生部に磁場を印加する磁場印加手段とを備え、上記アンテナにより上記プラズマ発生部内に数10MHzの電磁波を導入すると共に上記磁場印加手段により30ガウス以下の低磁場を印加して上記プラズマ発生部内でエレクトロンサイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-213345
  
• 特開昭64-057600
  
• 特開平4-147969