特許

J-GLOBAL ID：200903034879513410

減衰全反射による解析方法及びその装置

発明者： 遠藤 惣銘 ,  岩崎 洋
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-250044
公開番号（公開出願番号）：特開平7-083824
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【構成】 基体12の一主面上に薄膜11を設けてなる積層体について減衰全反射法によって解析を行うに際して、前記薄膜11の側にてこの薄膜上に前記基体12よりも屈折率の高いプリズム23を配し、このプリズム23から前記基体12側に入射させた光14を全反射させるようにした、減衰全反射による解析方法。【効果】 薄膜/基体の界面の状態(透明境界膜の厚さの変化等)を正確に検出すると共に、薄膜の厚み方向(初期堆積層/金属層/腐食層の積層状態等)の状態の解析を可能にし、薄膜の光学定数の決定等の解析をより正確に行える。

請求項（抜粋）：

基体の一主面上に薄膜を設けてなる積層体について減衰全反射法によって解析を行うに際して、前記薄膜の側にてこの薄膜上に前記基体よりも屈折率の高いプリズムを配し、このプリズムから前記基体側に入射させた光を全反射させるようにした、減衰全反射による解析方法。