化合物半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-333047
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166748
出願日： 1991年12月17日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 III -V族化合物半導体基板の裏面ないし側面に金属層を安定に被着させ、接着強度、信頼性の優れた金属層を備えた半導体装置を製造する。【構成】周期律表第III 族及び第V族に属する元素からなる化合物半導体の一方の主面に能動部を形成する工程と、前記能動部を形成した主面の反対側の主面、もしくは側面、もしくは前記能動部が形成された主面とは異なる主面側から形成されたビアホール内面に対し、その表面に硫化アンモニウム処理を施す工程と、前記硫化アンモニウム処理を施した表面に金属層を被着する工程とを含む化合物半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

周期律表第III 族及び第V族に属する元素からなる化合物半導体の一方の主面に能動部を形成する工程と、前記能動部を形成した主面の反対側の主面、もしくは側面、もしくは前記能動部が形成された主面とは異なる主面側から形成されたビアホール内面に対し、その表面に硫化アンモニウム処理を施す工程と、前記硫化アンモニウム処理を施した表面に金属層を被着する工程とを含む化合物半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 , H01L 29/20 , H01L 29/44 , H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-192119
特開平2-187029
特開平2-137370

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