特許

J-GLOBAL ID：200903034888626724

化合物半導体装置

発明者： 長岡 紀子
出願人/特許権者： 東芝ケミカル株式会社
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-033321
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223660
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 耐熱性、耐湿性および金メッキ面との熱時接着性に優れ、アッセンブリ工程において信頼性の高い化合物半導体装置を提供するものである。【解決手段】 (A)(a)ジシクロペンタジエニル骨格を持つエポキシ樹脂、(b)ジシクロペンタジエニル骨格を持つフェノール樹脂からなる変性樹脂、(B)溶剤、モノマー又はこれらの混合物および(C)絶縁性粉末を必須成分とする絶縁性ペーストを用いて、化合物半導体チップとリードフレームとを接着固定してなることを特徴とする化合物半導体装置である。

請求項（抜粋）：

(A)(a)ジシクロペンタジエニル骨格を持つエポキシ樹脂、(b)ジシクロペンタジエニル骨格を持つフェノール樹脂からなる変性樹脂、(B)溶剤、モノマー又はこれらの混合物および(C)絶縁性粉末を必須成分とする絶縁性ペーストを用いて、化合物半導体チップとリードフレームとを接着固定してなることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/52 ,  C09J163/00 ,  H01L 23/14

FI (3件)：

H01L 21/52 E ,  C09J163/00 ,  H01L 23/14 Z