特許

J-GLOBAL ID：200903034889819240

E面分岐を有する導波管を用いたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 鈴木 伸昌
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-125792
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308071
出願日： 2000年04月26日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 いかなる条件においても、マイクロ波プラズマ密度のバランスが崩れないようにして、環状導波路における周方向の処理ムラを抑える。【解決手段】 プラズマ発生室9と被処理体Wを支持する支持手段2とガス導入手段7と排気手段8とを有するプラズマ処理装置において、誘電体窓4を透してマイクロ波を供給するマイクロ波供給器3に2つの導入口25A、25Bを設け、E面T分岐15により分配されたマイクロ波を電界ベクトルの向きが互いに逆になるように、該導入口に導く。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生室と、被処理体を支持する支持手段と、該プラズマ発生室内にガスを導入するガス導入手段と、該プラズマ発生室内を排気する排気手段と、誘電体窓を透してマイクロ波を該プラズマ発生室に供給するマイクロ波供給器とを備えたプラズマ処理装置であって、該マイクロ供給器は、所定の間隔で設けられた複数のスロットを有する環状導波路と該環状導波路に設けられた少なくとも2個の導入口と、該導入口に電界ベクトルが互いに逆方向を向くようにマイクロ波を導入する為のE面分岐とを有することを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

C23C 16/511 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B

Fターム (87件)：

4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA07 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030KA30 ,  4K030KA45 ,  4K030LA15 ,  4K030LA24 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD19 ,  4M104DD20 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD65 ,  4M104DD67 ,  4M104EE08 ,  4M104HH20 ,  5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB07 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB32 ,  5F004BD01 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA06 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F004DB13 ,  5F004DB14 ,  5F004DB23 ,  5F004DB25 ,  5F004DB26 ,  5F004EB03 ,  5F045AA09 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AB10 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AF02 ,  5F045AF08 ,  5F045AF09 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09 ,  5F045DP04 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH16