特許
J-GLOBAL ID：200903034898225353
X線による薄膜の解析方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-057993
公開番号（公開出願番号）：特開平11-258185
出願日： 1998年03月10日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 基板上に単層または多層の薄膜を形成した材料における該薄膜の物質特性(膜厚、密度、表面および界面の粗さ)をX線反射率曲線から容易に且つ短時間で解析する方法を提供する。【解決手段】 マキシマムエントロピーメソッドにより得られる最適値に近い値を基にして、非線形最小自乗法による精密化を行うことによって、薄膜の物質特性を解析する。
請求項（抜粋）：
基板上に単層または多層の薄膜を形成した試料にX線を照射し、その反射X線の強度の入射角度に対する依存性から該薄膜の物質特性を測定する方法において、前記反射X線強度の入射角度依存性の測定値に理論値が一致するようにして物質特性を求める過程において、非線形最小自乗法によるフィッティング手法に加えて、マキシマムエントロピーメソッド(MEM)によって理論値及び測定値をスペクトル密度分布に変換し、その像空間において非線形最小自乗法を適用することにより物質特性を求めることを特徴とするX線による薄膜の解析方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 23/20
, G01B 15/02 D
