特許

J-GLOBAL ID：200903034913998518

放射線検出装置およびその製造方法

発明者： 長野 和美 ,  田村 知之
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-014198
公開番号（公開出願番号）：特開2003-215256
出願日： 2002年01月23日
公開日（公表日）： 2003年07月30日
要約：

【要約】【課題】 放射線検出装置の高感度化・高鮮鋭度化を目的とする。バインダのない蛍光体層の製造方法を提供する。充填率を5〜40%の蛍光体層の製造方法を提供する。超高温工程のない製造方法を提供することによって目的を実現する。【解決手段】 蛍光体層をガスデポジション法を用いて形成した放射線検出装置およびその製造方法。

請求項（抜粋）：

放射線を可視光に変換する蛍光体層と、複数の光電変換素子からなり前記蛍光体層で変換された光を検出する光検出器とを有する放射線検出装置において、前記蛍光体層は、蛍光体粒子を基板に高速衝突させて堆積するようにした成膜法を用いたことを特徴とする放射線検出装置。

IPC (6件)：

G01T 1/20 ,  G21K 4/00 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335

FI (7件)：

G01T 1/20 K ,  G01T 1/20 E ,  G21K 4/00 B ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335 U ,  H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 K

Fターム (31件)：

2G083AA04 ,  2G083AA08 ,  2G083BB01 ,  2G083CC02 ,  2G083DD11 ,  2G083DD12 ,  2G083DD19 ,  2G083EE02 ,  2G083EE03 ,  2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ37 ,  4M118AB10 ,  4M118BA05 ,  4M118CA02 ,  4M118CB11 ,  4M118EA20 ,  4M118FB03 ,  4M118FB13 ,  5C024AX12 ,  5C024CY47 ,  5F049MA01 ,  5F049MB05 ,  5F049NA01 ,  5F049NB05 ,  5F049SS01 ,  5F049SZ20 ,  5F049WA07