特許
J-GLOBAL ID：200903034917802685
高周波半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371302
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189322
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 ソースインダクタンスを低減すると共に、ドレイン容量を低減した高周波半導体装置を提供する。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板1上に、第1のアンドープGaAs層2、高濃度のGaAs層3を順に形成し、この層3上に第2のアンドープGaAs層5を形成し、更に、前記第2のアンドープGaAs層5上にGaAs活性層6を形成した高周波半導体装置において、前記高濃度のGaAs層3と第2のアンドープGaAs層5との間にアンドープAlGaAs層4を設け、前記高周波半導体装置のソース電極9を前記高濃度のGaAs層3上に設けると共に、前記高周波半導体装置のドレイン電極7は、前記第1のアンドープGaAs層2上に設け、且つ、ドレイン電極7と前記高濃度のGaAs層3との間には空隙10が設けられていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半絶縁性GaAs基板上に、第1のアンドープGaAs層、高濃度のGaAs層を順に形成し、この層上に第2のアンドープGaAs層を形成し、更に、前記第2のアンドープGaAs層上にGaAs活性層を形成した高周波半導体装置において、前記高濃度のGaAs層と第2のアンドープGaAs層との間にアンドープAlGaAs層を設け、前記高周波半導体装置のソース電極を前記高濃度のGaAs層上に設けると共に、前記高周波半導体装置のドレイン電極は、前記第1のアンドープGaAs層上に設け、且つ、ドレイン電極と前記高濃度のGaAs層との間には空隙が設けられていることを特徴とする高周波半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
5F102FA00
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
, 5F102GL05
, 5F102GR11
, 5F102GS02
, 5F102GT03
, 5F102HC15
