特許
J-GLOBAL ID:200903034917807997
半導体装置及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
舘野 千惠子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-250239
公開番号(公開出願番号):特開2002-064174
出願日: 2000年08月21日
公開日(公表日): 2002年02月28日
要約:
【要約】【課題】 半導体集積回路チップがその動作中に大量の熱を発生させるものであっても、その熱が半導体集積回路チップからパッケージの外部に容易に且つ効率よく放出される良好な放熱特性を有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 Cu製のベースメタル板から形成されたアウターリード10a、これらのアウターリード10aとは分離されているダイパッド部10b、及びこのダイパッド部10bに一体的に接続している放熱端子部10cが設けられている。この放熱端子部10cはアウターリード10aが配列されている4辺のなす4隅のうちの2隅に延びており、アウターリード10aに比較して幅の広い大面積の領域をなしている。2個のICチップのうち、動作中の発熱量が比較的大きい第1のICチップ22aは熱伝導率の高い導電性ペースト24を介してダイパッド部10b表面上に固着されている。
請求項(抜粋):
配線パターンを形成するインナーリードと、前記インナーリードの底面及び側面を被覆する樹脂層と、一端が外部に露出しているアウターリードと、外部に露出している放熱端子部に一体的に接続しているダイパッド部と、前記ダイパッド部上に搭載された半導体集積回路チップと、前記半導体集積回路チップの電極と前記インナーリードの表面とを接続する配線ワイヤと、前記半導体集積回路チップ、前記ダイパッド部、前記インナーリード、前記樹脂層、前記配線ワイヤ、及び前記アウターリードの一部を封止するパッケージとを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/50
, H01L 23/28
, H01L 23/34
FI (3件):
H01L 23/50 F
, H01L 23/28 A
, H01L 23/34 A
Fターム (23件):
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109DA10
, 4M109DB17
, 4M109FA07
, 5F036BA23
, 5F036BB16
, 5F036BE01
, 5F067AA03
, 5F067AB03
, 5F067BA03
, 5F067BB00
, 5F067BC00
, 5F067BE04
, 5F067CA07
, 5F067DA01
, 5F067DA16
, 5F067DC13
, 5F067DC18
, 5F067DE01
, 5F067DF01
, 5F067EA04
, 5F067EA05
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