特許
J-GLOBAL ID：200903034918015407
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-336017
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156390
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザに関し、一方の端面から大きな光出力を取り出すとともに、外部からの反射戻り光によって単一モード発振が受ける影響を低減する。【解決手段】 導電型の異なる一対のクラッド層1,2の間に挟まれた量子井戸からなる活性領域3の少なくとも一部に回折格子4を設けるとともに、活性領域3を膜厚が均一な第1の領域5と、膜厚の最大膜厚が第1の領域5の膜厚以下であり且つレーザ端面に向かって徐々に薄くなる第2の領域6から構成し、第2の領域6における活性領域3の組成波長及び吸収端波長を第1の領域5における活性領域3の組成波長及び吸収端波長より短波長側にする。
請求項（抜粋）：
導電型の異なる一対のクラッド層の間に、前記クラッド層より禁制帯幅の小さな量子井戸からなる活性領域を少なくとも備え、前記活性領域の少なくとも一部が光の進行方向に対して垂直な方向に周期的に蝕刻された回折格子を備えた半導体レーザにおいて、前記活性領域が膜厚が均一な第1の領域と、最大膜厚が前記第1の領域の膜厚以下であり且つレーザ端面に向かって徐々に薄くなる第2の領域から構成され、前記第2の領域における活性領域の組成波長及び吸収端波長が前記第1の領域における活性領域の組成波長及び吸収端波長より短波長側にあることを特徴とする半導体レーザ。
Fターム (10件)：
5F073AA45
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073CA12
, 5F073CB02
, 5F073CB10
, 5F073CB22
, 5F073DA24
, 5F073EA24
, 5F073EA29
