特許
J-GLOBAL ID:200903034918231983
臨界電流密度の高い酸化物超電導体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
和田 憲治 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-055386
公開番号(公開出願番号):特開平9-227224
出願日: 1996年02月20日
公開日(公表日): 1997年09月02日
要約:
【要約】【課題】 酸化物超電導体の臨界電流密度を向上させる。【解決手段】 超電導体の目標組成と実質的に同じ組成となるように各成分を配合した仮焼粉を成形・焼結してなる酸化物超電導体において,前記の仮焼粉として平均粒子径2.5μm以下に粉砕されたものを使用する。該粉砕は焼成品を非極性有機溶媒と極性有機溶媒の混合溶媒を用いた湿式法で行う。
請求項(抜粋):
超電導体の目標組成と実質的に同じ組成となるように各成分を配合した仮焼粉を成形・焼結してなる酸化物超電導体であって,前記の仮焼粉が平均粒子径2.5μm以下に粉砕されたものである臨界電流密度の高い酸化物超電導体。
IPC (2件):
C04B 35/45 ZAA
, C01G 1/00
FI (2件):
C04B 35/00 ZAA K
, C01G 1/00 S
引用特許:
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