特許

J-GLOBAL ID：200903034920581843

平坦化塗布絶縁膜の形成方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-105304
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306681
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 無機成分や有機成分等の残留不純物が低減された、緻密な平坦化塗布絶縁膜5の形成方法を提供する。【構成】 被処理基板上にSOGを塗布し、熱処理により焼成する際に被処理基板に超音波を印加する。この際熱処理雰囲気としてO3 等の酸化性雰囲気あるいはNH3 等の塩基性雰囲気を採用してもよい。【効果】 熱エネルギに加え、超音波エネルギを併用することにより、酸化反応あるいは脱水縮合反応が促進され、平坦化塗布絶縁膜の緻密化が達成される。

請求項（抜粋）：

被処理基板上にシリコン化合物を含む塗布膜を形成し、前記塗布膜に熱処理を施す工程を含む平坦化塗布絶縁膜の形成方法であって、前記熱処理を施す工程中に、前記被処理基板に超音波を印加することを特徴とする、平坦化塗布絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 Q