特許
J-GLOBAL ID：200903034926679543
磁性体薄膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-286938
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142249
出願日： 1993年11月16日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 成膜直後から軟磁気特性に優れ、耐熱処理性に優れ、高飽和磁束密度を有する磁性体薄膜を得る。【構成】 非磁性基板上に、50nm層厚の磁性層をFe-Al-Si合金をターゲットとしたマグネトロンスパッタで、基板温度と放電ガス圧を変えアニール後、形成する。磁性層形成後に、スパッタガス中に間欠的に酸素を導入することで酸化物からなる5nm厚さの分離層を形成する。交互に10層づつ積層し、合計約550nmの膜厚の積層磁性体薄膜を作製する。各磁性層の磁化容易軸方向がほぼ平行であると、優れた軟磁気特性を示す。
請求項（抜粋）：
磁性体薄膜を構成する柱状もしくは実質的に回転楕円体である複数の磁性結晶粒子の短辺方向の長さの平均値が2以上40nm以下の範囲であり、前記磁性体薄膜の膜面がX軸、Y軸、Z軸を主軸とする直交座標系のX-Y平面上にあり、Y-Z平面と各磁性結晶粒子の長辺方向が略平行であり、かつ磁性体薄膜の磁化容易軸方向が、X-Y平面上で、X軸方向を中心にした±π/4の範囲内にある磁性体薄膜。
IPC (3件)：
H01F 10/08
, G11B 5/147
, G11B 5/31
