特許
J-GLOBAL ID：200903034932055098
光起電力素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250711
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092860
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 上部電極から発電層の最表面に位置するp型半導体層へのキャリア注入を抑制し、開放電圧(VOC)の高い光起電力素子を提供する。【解決手段】 本発明の光起電力素子は、結晶形態が非単結晶であるn型半導体をn、i型半導体をi、及びp型半導体をpとした場合、基体上に、前記n、前記i、前記pの順番に積層したnip接合からなる構造体を少なくとも1つ以上有する発電層を設け、前記発電層の最表面に位置するp層上に上部電極を配設した光起電力素子において、前記発電層の最表面に位置するp層が、前記i層と接合する結晶質を含む第1p層、及び前記上部電極と接合する非晶質の第2p層で構成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
結晶形態が非単結晶であるn型半導体をn、i型半導体をi、及びp型半導体をpとした場合、基体上に、前記n、前記i、前記pの順番に積層したnip接合からなる構造体を少なくとも1つ以上有する発電層を設け、前記発電層の最表面に位置するp層上に上部電極を配設した光起電力素子において、前記発電層の最表面に位置するp層が、前記i層と接合する結晶質を含む第1p層、及び前記上部電極と接合する非晶質の第2p層で構成されていることを特徴とする光起電力素子。
FI (2件)：
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 V
