特許
J-GLOBAL ID：200903034934417345
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-023619
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226627
出願日： 1992年02月10日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】 ホトダイオードを備えたBi-CMOS半導体装置において、ホトダイオードで発生した少数キャリアが上記ホトダイオード周辺の回路部に流入することを抑えることができ、かつホトダイオード自体の感度を向上できる半導体装置を提供する。【構成】 ホトダイオードのN-ウェル層5,5とN+埋込み層2,2で構成され、ホトダイオードのN+拡散層10からなるカソード部から、P型エピタキシャル層4を突き抜けてP型半導体基板1に達するカソード延長部を備えた。P型エピタキシャル層4で発生した少数キャリアを上記カソード部だけでなく、上記カソード延長部でも受ける。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板上に形成された第1導電型エピタキシャル層内に第2導電型ウェルが形成され、上記第1導電型エピタキシャル層に第2導電型チャネルMOSトランジスタおよびホトダイオードが形成され、上記第2導電型ウェルに第1導電型チャネルMOSトランジスタおよびバイポーラトランジスタが形成された半導体装置において、上記ホトダイオードの第2導電型層からなるカソード部から、上記第1導電型エピタキシャル層を突き抜けて、上記第1導電型半導体基板に達する第2導電型層からなるカソード延長部を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/14
, H01L 27/06
, H01L 31/10
H01L 27/14 Z
, H01L 27/06 321 Z
, H01L 31/10 Z
