特許

J-GLOBAL ID：200903034938712376

電界発光素子及びその製造方法

発明者： 堀井 守
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-115898
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297472
出願日： 1998年04月13日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 発光表示部分以外での発光を確実に防止し、高精細に発光できる電界発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 透明基板11の上にアノード電極12が形成され、さらに透明基板11の上に有機EL層13が成膜され、この有機EL層13の上に不透明な第1カソード電極15が形成されている。この第1カソード電極15がマスクとなって、この電極15で覆われていない部分の有機EL層13が紫外線により劣化されて非発光領域13Aとなっている。第1カソード電極15が形成された有機EL層13の上に、略全体に亙って第2カソード電極17が形成されている。このような構成とすることにより、有機EL層13へは、第1カソード電極15のみから電子注入が可能となる。また、第2カソード電極17とアノード電極12とで挟まれた領域(発光可能領域13Bを除く)では有機EL層13が劣化されて非発光領域13Aとなっているため、表示光の発光は起こらない。このため、キャラクタ表示部のみが点灯表示され、意図した部分での発光を防止することができる。

請求項（抜粋）：

基板の上に、アノード電極をパターン形成する工程と、前記アノード電極が形成された前記透明基板の上に、有機エレクトロルミネッセンス層を成膜する工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス層の上に、第1カソード電極を、第1メタルマスクを用いて蒸着して形成する工程と、前記第1カソード電極をマスクとして露呈する前記有機エレクトロルミネッセンス層へ紫外線を照射して劣化させる工程と、前記第1カソード電極の上に、第2メタルマスクを用いて第2カソード電極を蒸着により形成する工程と、を備えることを特徴とする電界発光素子の製造方法。

IPC (3件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26

FI (3件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z