特許
J-GLOBAL ID：200903034940368127
単結晶半導体薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-162195
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335261
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 膜質の良好なa-Si薄膜を絶縁膜との良好な密着性を保ちつつ形成し、大面積で結晶性の良好なSOI構造を得る。【構成】 絶縁膜であるSiO2 膜2上に、第1のa-Si薄膜4を、SiO2膜2から剥離しない条件にて堆積した後、この上に、第2のa-Si薄膜5を、第1のa-Si薄膜4よりも低温の堆積温度および高速の堆積速度にて堆積することにより、これらa-Si薄膜4,5の堆積を、SiO2 膜2との密着性を確保しつつ、より低温の堆積温度かつより高速の堆積速度で行うことを可能とする。これにより、Si多結晶核密度・不純物濃度の少ない、膜質の良好なa-Si薄膜が形成され、固相成長によりL-SPE距離の拡大を可能とする。
請求項（抜粋）：
単結晶半導体基台上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜を部分的に除去して前記単結晶半導体基台を露出させる工程と、前記絶縁膜から剥離しない条件にて絶縁膜を完全に被覆するまで前記単結晶半導体基台と同一材料からなる第1の非晶質半導体薄膜を堆積する工程と、この第1の非晶質半導体薄膜よりも低温の堆積温度及び高速の堆積速度の条件で、前記非晶質半導体薄膜上に前記単結晶半導体基台と同一材料からなる第2の非晶質半導体薄膜を堆積する工程と、熱処理を施して前記第1、第2の非晶質半導体薄膜を縦方向及び横方向へ結晶化を進めて単結晶半導体薄膜を形成する工程と、からなる単結晶半導体薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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