特許
J-GLOBAL ID:200903034942625275
ITOドライエッチング方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-313701
公開番号(公開出願番号):特開2000-150466
出願日: 1998年11月04日
公開日(公表日): 2000年05月30日
要約:
【要約】【課題】ITOのドライエッチングを連続に効率よく運転するための方法を提供する。【解決手段】HI(ヨウ化水素)ガスを、容量結合型の平行平板型の対向電極から供給するシステムにおいて、ある一定の以上のガス流速を維持する。
請求項(抜粋):
ヨウ化水素(HI)を含むガスを用いるインジウム錫酸化物(ITO)のドライエッチングの条件が、(a)圧力が 0.1Paから 100Paの範囲である、(b)高周波平行平板容量結合型放電電極と、ITO付きの基板を保持する印加電極とおよびヨウ化水素を含むガスを供給する吹き出し孔を具備する対向電極からなる装置を用いる、(c)対向する印加電極と対向電極とのそれぞれの周辺を結んで形成される面を電極間空間の外周面積Sとしたとき、電極間空間の外周面積Sとそこから放出されるヨウ化水素を含むガスの真空中における体積流量Vとから算出されるガス線速度S/Vが少なくとも0.8m/秒である、ことを特徴とするITOドライエッチング方法。
IPC (5件):
H01L 21/3065
, G02F 1/1343
, H01B 5/14
, H01B 13/00 503
, C23F 4/00
FI (5件):
H01L 21/302 F
, G02F 1/1343
, H01B 5/14 B
, H01B 13/00 503 B
, C23F 4/00 A
Fターム (35件):
2H092HA06
, 2H092JA24
, 2H092MA08
, 2H092MA19
, 2H092NA27
, 2H092NA29
, 2H092PA01
, 4K057DA20
, 4K057DB20
, 4K057DD03
, 4K057DE01
, 4K057DE09
, 4K057DE14
, 4K057DE15
, 4K057DE20
, 4K057DG06
, 4K057DG07
, 4K057DM02
, 4K057DM08
, 4K057DN02
, 5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004BB11
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004BB28
, 5F004DA00
, 5F004DA04
, 5F004DA17
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DB31
, 5F004EB02
, 5G323CA01
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