特許

J-GLOBAL ID：200903034945109448

安定な化学量を有する強誘電体及び/または誘電体の製造方法

発明者： 金 培淵
出願人/特許権者： 金 培淵
代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-087394
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150804
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 不揮発性コンピュータメモリ用途、センサ、コンデンサ及び多様な通信分野に適合するように、鉛またはビスマスからなる化学量論的強誘電体を含む超小型構造物を、電極上に形成する方法を提供する。【解決手段】 本発明の方法はまず、下部電極120を形成し、その下部電極上に自己拡散防止層134を形成し、これを第1温度下で熱処理し、自己拡散防止層上に強誘電体を形成し、この強誘電体を第2温度下で熱処理し、上部電極140を形成する。ここで、自己拡散防止層の標準の化学組成は、強誘電体を熱処理した後の強誘電体の化学組成と同一である。

請求項（抜粋）：

超小型電子技術構造物の製造方法であって、下部電極を形成する過程と、前記下部電極上に自己拡散防止層を形成する過程と、前記自己拡散防止層を第1温度下で熱処理する過程と、前記自己拡散防止層上に強誘電体及び/または誘電体層を形成する過程と、前記強誘電体及び/または誘電体を第2温度下で熱処理する過程と、上部電極を形成し、それにより超小型電子技術構造物形成する過程とを有し、前記自己拡散防止層の標準の化学組成が、前記強誘電体及び/または誘電体を熱処理した後の前記強誘電体及び/または誘電体の化学組成と同一であることを特徴とする超小型電子技術構造物の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/283 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/283 W ,  H01L 27/10 651

Fターム (26件)：

4M104AA01 ,  4M104BB06 ,  4M104CC01 ,  4M104EE12 ,  4M104GG16 ,  4M104GG19 ,  4M104HH02 ,  4M104HH04 ,  4M104HH20 ,  5F038AC05 ,  5F038AC14 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F083FR01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA30 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR33 ,  5F083PR44 ,  5F083PR47