特許
J-GLOBAL ID：200903034954497124
高耐圧トランジスタおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-337191
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166832
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 安定したトランジスタ特性を有する高耐圧トランジスタを提供する。【構成】 ドレイン領域6を低濃度とし、このドレイン領域6とのコンタクトには、不純物を含有する補助配線層8を用いることで、ドレイン領域6が低濃度であることによる抵抗値の上昇を抑え、高耐圧の向上を図り、補助配線層8からの不純物の拡散により良好なオーミックコンタクトを確保することができる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、この半導体基板の主表面上にゲート絶縁膜を介して設けられるとともに、その側面と上面が絶縁膜で覆われたゲート電極と、このゲート電極の下部に位置するチャネル領域と、このチャネル領域を左右から挟む位置に設けられたソース/ドレイン領域と、前記ゲート電極を囲む前記ドレイン領域側の前記絶縁膜の側壁と、前記ドレイン領域の表面に沿って前記ドレイン領域に電気的に接続された第1導電型の不純物を含有する補助配線層とを備え、前記ドレイン領域は、前記補助配線層の下面にあって前記半導体基板の表面の浅い箇所に形成された第2導電型の高濃度不純物領域と、この領域を囲むように前記半導体基板の表面から所定の深さにかけて形成された第2導電型の低濃度不純物領域からなり、前記補助配線層および前記絶縁膜上は層間絶縁膜で覆われ、この層間絶縁膜に設けられたコンタクト穴において、前記補助配線層には配線層が電気的に接続された、高耐圧トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
