特許
J-GLOBAL ID：200903034960022529
メタライズド絶縁体基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-145777
公開番号（公開出願番号）：特開平7-331485
出願日： 1994年06月06日
公開日（公表日）： 1995年12月19日
要約：
【要約】【目的】 低コストでまた低温プロセスで、密着力の大きいそしてメタライズ層のファインパターン化が可能である絶縁体基板のメタライズ技術の確立。【構成】 絶縁体基板上に金属錯体の密着性の良好な熱分解導電性金属酸化物皮膜とその上に形成された電解金属皮膜とを備えるメタライズド絶縁体基板を提供する。アルカリ水溶液中でZnO、SnO2 、TiO2 及びIn2 O3 のうちの1種以上を構成する金属の金属錯体を形成する。絶縁体基板を該金属錯体を含む溶液に接触させ、金属錯体を熱分解させることにより基板上に導電性金属酸化物皮膜を成膜する。その後導電性酸化物皮膜付き絶縁体基板を電極として電解法により銅やニッケルの金属皮膜を形成する。酸化物皮膜の抵抗値を下げるため、導電性金属酸化物皮膜を形成した後基板を熱処理し、また溶液中にAl、Bイオンを添加して酸化物皮膜中にAl、Bをドープすることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁体基板上に導電性金属酸化物を構成する金属の金属錯体の、密着性の良好な、熱分解導電性金属酸化物皮膜と、更に該熱分解導電性金属酸化物皮膜の上に形成された電解金属皮膜とを備えることを特徴とするメタライズド絶縁体基板。
IPC (2件)：
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