特許

J-GLOBAL ID：200903034960436960

誘電体キャパシタの製造方法

発明者： 内貴 唯八
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-129783
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306871
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 誘電体キャパシタによる段差を少なくし且つこの誘電体キャパシタを低コストで製造する。【構成】 下部電極のパターンのSiO2 膜36をマスクにしてPt膜35及びPZT膜34をエッチングした後、SiO2 膜36を上部電極のパターンにし、このSiO2 膜36をマスクにしてPt膜35をエッチングすると共に、PZT膜34をマスクにしてPt膜33及びTiN膜32をエッチングする。つまり、SiO2 膜36をマスクとして共用しており、両方のエッチングによってSiO2 膜36の膜厚が減少し、SiO2 膜36が残る範囲も狭い。また、SiO2 膜36の形成工程も1回でよい。

請求項（抜粋）：

第1の導電膜、誘電体膜及び第2の導電膜を順次に積層させる工程と、下部電極のパターンの無機膜を前記第2の導電膜上に形成する工程と、前記無機膜をマスクにして前記第2の導電膜及び前記誘電体膜をエッチングする工程と、前記エッチングの後に前記無機膜を上部電極のパターンに加工する工程と、前記上部電極のパターンの前記無機膜をマスクにして前記第2の導電膜をエッチングすると共に、前記誘電体膜をマスクにして前記第1の導電膜をエッチングする工程とを具備することを特徴とする誘電体キャパシタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/28 E