半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-211711
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055938
出願日： 1994年08月15日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半田バンプを介してチップを回路基板にフリップチップ接続した長期信頼性の高い半導体装置及び接続作業性の良いその製造方法を提供する。【構成】半導体素子(チップ)1は半田バンプ3により回路基板2に取付けられ、回路基板の配線層8に接続され、半導体素子1と回路基板2との間にはヤング率の異なる第1の樹脂41と第2の樹脂42とが充填されている。チップ1と回路基板2の間隙のチップ中央部分に充填されている第1樹脂41はチップ周辺部に充填された第2の樹脂42よりヤング率が高く堅いので、チップを十分固定できる。さらに第1樹脂はフィラーを含有し第2樹脂を含有していないので、第2樹脂は容易に狭いチップ1と回路基板2との間隙に入込むことができる。また半導体装置をくり返し使用後でも、チップ中心を固定する第1樹脂が存在するので、半田バンプの上面と下面の変位差が小さくバンプの長期信頼性は低下しない。

請求項（抜粋）：

回路基板と、はんだバンプからなる突起電極によって前記配線基板に取り付けられ、この回路基板の配線層に電気的に接続された少なくとも1つの半導体素子と、前記半導体素子と前記配線基板との間に充填されたヤング率の異なる第1の樹脂と第2の樹脂とを備え、前記第1の樹脂は前記半導体素子の中央部に充填され、前記第2の樹脂は前記半導体素子の周辺部に充填されており、かつ前記第1の樹脂は前記第2の樹脂よりヤング率が大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/28 , H01L 21/56 , H01L 23/04 , H01L 23/10 , H01L 23/29 , H01L 23/31

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-137656
特開平2-226736
特開平4-211150

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