特許

J-GLOBAL ID：200903034962222398

レジストパターン形成方法およびレジストパターン形成装置およびレジストパターンおよびマイクロレンズ

発明者： 佐藤 康弘
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264868
公開番号（公開出願番号）：特開2001-092147
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 フォトマスクに微細な開口パターンを多数並べてその開口面積を変化させることで透過する光量を制御して3次元的なレジストパターンを作成するのに、開口パターンのピッチを大きくして表現できる階調数を増やした場合でも、フォトマスク作成の工程数を増加させず、かつ、滑らかなレジストパターン面を得ることを可能にする。【解決手段】 光源1からの光をフォトマスク2,対物レンズ3を介して、フォトレジストの塗布された基板21に入射させ露光を行なって3次元的なレジストパターンを形成する。この際、開口パターンのピッチの一部もしくは全てが露光装置の解像限界よりも大きいフォトマスク2を使用し、フォトレジストの塗布された基板21を、対物レンズ3の焦点位置付近で露光装置の光軸に対して平行に移動させて、複数の位置で露光を行なう。

請求項（抜粋）：

光源と、対物レンズと、大きさの異なる複数の開口パターンをアレイ状に並べて透過する光量の制御を行なうフォトマスクとを備えた露光装置を用い、光源からの光をフォトマスク,対物レンズを介して、フォトレジストの塗布された基板に入射させ露光を行なって3次元的なレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法であって、開口パターンのピッチの一部もしくは全てが露光装置の解像限界よりも大きいフォトマスクを使用し、フォトレジストの塗布された基板を、対物レンズの焦点位置付近で露光装置の光軸に対して平行に移動させて、複数の位置で露光を行なうことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/22 ,  B81B 7/02 ,  B81C 1/00 ,  G02B 3/00 ,  G03F 1/08

FI (5件)：

G03F 7/22 Z ,  B81B 7/02 ,  B81C 1/00 ,  G02B 3/00 A ,  G03F 1/08 D

Fターム (15件)：

2H095BA02 ,  2H095BB02 ,  2H095BB12 ,  2H095BB32 ,  2H095BB33 ,  2H095BB34 ,  2H095BB36 ,  2H097AA11 ,  2H097AB05 ,  2H097BA01 ,  2H097BB01 ,  2H097BB04 ,  2H097GB01 ,  2H097JA02 ,  2H097LA15