特許

J-GLOBAL ID：200903034966637843

SiC発光素子及びその製造方法

発明者： 渡辺 幸雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-237613
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094779
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、製造工程の簡略化ならびに発熱の低減を達成し得るSiC発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、n型のSiC基板14の(0001)面に液相成長によ【外1】り形成されたn型のSiC層16と、SiC基板14の面に第1のSiC層16よりも薄くかつ高濃度に第1のSiC層16と同時に液相成長により形成されたn型のSiC層17と、液相成長によりSiC層16上にのみ形成されたp型のSiC層18とから構成される。

請求項（抜粋）：

第1導電型のSiC基板の(0001)面に液相成長により形成された第1導電型の第1のSiC層と、【外1】SiC層と同時に液相成長により形成された第1導電型の第2のSiC層と、液相成長により第1のSiC層上にのみ形成された第2導電型のSiC層とを有することを特徴とするSiC発光素子。