重ね合わせ精度測定パターン及び重ね合わせ精度測定方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-299469
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125751
出願日： 1996年10月23日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】本発明は従来と同程度の大きさでエッジ領域を長くして精度よく測定できる重ね合わせ精度測定パターン及び重ね合わせ精度測定方法を提供する。【解決手段】重ね合わせ精度測定パターン10は、外側と内側のプロセスパターン11、12とレジストパターン13で構成され、プロセスパターン11、12は基板上に上面が帯状の四角形の枠形状に、レジストパターン13は基板上に形成された上層膜上のプロセスパターン11とプロセスパターン12の間に、上面が帯状の四角形の枠形状にそれぞれリソグラフィーにより形成される。外側のプロセスパターン11は従来のプロセスパターンと同程度の大きさに形成され、各パターン11、12、13の間隔は少なくとも2ミクロンメートル空けて形成される。重ね合わせ精度の測定は、レジストパターン13とプロセスパターン11及びレジストパターン13とプロセスパターン12のズレ量をそれぞれ測定し、各ズレ量の平均を算出することにより行う。

請求項（抜粋）：

下地層上の所定位置に形成される所定形状の下層パターンと、前記下地層上に形成された上層膜上の前記下層パターンの形成位置に近接して形成される所定形状の上層パターンと、を備え、前記下層パターン及び前記上層パターンは、所定形状の枠形状、あるいは、相互に平行な所定幅の細長い1対のバーと当該1対のバーを90度回転した状態で当該1対のバーの間の位置に配置された1対のバーにより四角の切れた四角形状に形成され、その一方の前記パターンが、その他方の前記パターンの前記枠形状あるいは前記四角の切れた四角形状の内側に所定間隔空けた状態で形成された重ね合わせ精度測定パターンであって、前記下層パターンと前記上層パターンは、前記内側の前記パターンの前記枠形状あるいは前記四角の切れた四角形状の内側に、さらに所定形状の他方の前記パターンが所定間隔空けて交互に所定数形成されていることを特徴とする重ね合わせ精度測定パターン。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , G03F 9/00 , H01L 21/027

FI (4件)：

H01L 21/66 J , H01L 21/66 Y , G03F 9/00 H , H01L 21/30 502 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-136516
特開昭63-136516

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