特許
J-GLOBAL ID：200903034973858944
電析による化合物薄膜の製造方法及びその化合物薄膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-246668
公開番号（公開出願番号）：特開2000-080495
出願日： 1998年09月01日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】 真空操作などの特別の操作が不要となり、効率よく、より高速で、常温で、操作することが可能であり、生産効率の向上を図ることができる、ABで表される化合物を電析により形成させる化合物薄膜の製造方法及びその化合物薄膜を提供する。【解決手段】 A及びBを含む電解液をBの電析電位より卑で、Aの電析電位より貴な電位で電析操作させて、基板上にAB薄膜を形成させるようにしたものである。このことにより、先ずA単体の部分は存在しない。また、上記の電析電位の条件を満足した上でBの電析が拡散律速反応であるような濃度範囲において、Bの濃度をコントロール(特に、低く)し、Bの電析速度をコントロール(特に、遅く)する。その上でAの濃度を十分高くすることにより、B単体の析出速度より、BにAが化合して、AB化合物が形成される速度が早くなるような条件を選択する。そのことにより、B単体の部分も存在しなくなる。したがって、A、B各々の単体部分の無いAB化合物薄膜の作製が可能となる。
請求項（抜粋）：
A及びBを含む電解液をBの電析電位より卑で、Aの電析電位より貴な電位で電析操作させて、基板上にAB薄膜を形成させることを特徴とする電析による化合物薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
4K023AB49
, 4K023BA06
, 4K023BA29
, 4K023DA11
