特許

J-GLOBAL ID：200903034976303994

光半導体素子

発明者： 駒崎 岩男
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-024360
公開番号（公開出願番号）：特開平6-237011
出願日： 1993年02月12日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】この発明は、高効率,高出力化を図ることを主要な目的とする。【構成】基板(11)上に、第1クラッド層(12)、量子井戸活性層(13)を順次介してメサ状第2クラッド層(14)を設け、この第2クラッド層(14)を電流ブロック層(16)で埋め込んでなる屈折率差導波型ダブルヘテロ接合の光半導体素子において、前記量子井戸活性層(13)の単位量子当りの光閉じ込め係数を0.05以下とするとともに、活性層(13)全体の光閉じ込め係数を0.3以上0.6以下とし、かつ端面の反射率を10-4以下にしたことを特徴とする光半導体素子。

請求項（抜粋）：

基板上に、第1クラッド層、量子井戸活性層を順次介してメサ状第2クラッド層を設け、この第2クラッド層を電流ブロック層で埋め込んでなる屈折率差導波型ダブルヘテロ接合の光半導体素子において、前記量子井戸活性層の単位量子当りの光閉じ込め係数を0.05以下とするとともに、活性層全体の光閉じ込め係数を0.3以上0.6以下とし、かつ端面の反射率を10-4以下にしたことを特徴とする光半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18