面位置検出方法及びそれを用いた投影露光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高梨幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-212199
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236837
出願日： 1993年08月04日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】ウエハ面の光軸方向の面位置情報を検出し、ウエハのパターン領域を投影レンズの許容焦点深度内に位置させ高密度の半導体素子の製造が可能な面位置検出方法及びそれを用いた投影露光装置を得ること。【構成】第1物体上に描かれた第2パターンと該第2パターンに比べ焦点深度の小さい第1のパターンを同時に投影光学系を介して、段差を有するウエハ上に投影する前に、第2物体の該投影光学系の光軸方向に関する複数箇所の面位置を測定し、該測定に基づいて、第2物体の表面を該投影光学系の像面に一致させる面位置検出方法において、該第2物体上の第1のパターンが投影される箇所の面位置を測定する段階と、該測定段階より得る面位置に基づいて第1のパターンが投影される箇所の面位置を該投影光学系の像面に一致させる段階とを有すること。

請求項（抜粋）：

第1物体上に描かれた第2パターンと該第2パターンに比べ焦点深度の小さい第1のパターンを同時に投影光学系を介して、段差を有するウエハ上に投影する前に、第2物体の該投影光学系の光軸方向に関する複数箇所の面位置を測定し、該測定に基づいて、第2物体の表面を該投影光学系の像面に一致させる面位置検出方法において、該第2物体上の第1のパターンが投影される箇所の面位置を測定する段階と、該測定段階より得る面位置に基づいて第1のパターンが投影される箇所の面位置を該投影光学系の像面に一致させる段階とを有することを特徴とする面位置検出方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03B 27/32 , G03F 7/207

FI (2件)：

H01L 21/30 311 N , H01L 21/30 311 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-102518
特開平3-233925
特開平2-198130

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