特許

J-GLOBAL ID：200903034982543115

シリコン単結晶の引上げ方法

発明者： 飯野 栄一 ,  布施川 泉 ,  山岸 浩利
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-348926
公開番号（公開出願番号）：特開平5-155682
出願日： 1991年12月04日
公開日（公表日）： 1993年06月22日
要約：

【要約】【目的】 16インチを超える石英るつぼを用いて引き上げられるシリコン単結晶にあっても十分に酸素濃度の低減が図れ、しかも、結晶成長方向の酸素濃度の均一が図れる方法を提供する。【構成】 シリコン単結晶をチョクラルスキー法によって引き上げるにあたり、結晶回転速度を0.2〜1.05rpm、石英るつぼ回転速度を0.1〜0.6rpmに維持するとともに、直流磁場を水平方向に印加しつつ、酸素濃度が2〜約6×1017(原子/cm3)のシリコン単結晶を引き上げるようにした。【効果】 16インチを超える石英るつぼを用いて引き上げられるシリコン単結晶にあっても十分に酸素濃度の低減が図れる。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶をチョクラルスキー法によって引き上げるにあたり、結晶回転速度を0.2〜1.05rpm、石英るつぼ回転速度を0.1〜0.6rpmに維持するとともに、直流磁場を水平方向に印加しつつ、酸素濃度が2〜約6×1017(原子/cm3)のシリコン単結晶を引き上げるようにしたことを特徴とするシリコン単結晶の引上げ方法。

IPC (4件)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/208